웨스턴디지털은 차세대 64단 수직 적층 3D 낸드 기술인 BiCS3을 성공적으로 개발했다고 밝혔다. 이번 새 기술의 시험 생산은 합작 투자사 시설인 일본 욧카이치 공장에서 시작됐으며 올해 말 경 첫 결과물이 나올 것으로 예상된다. 웨스턴디지털은 2017년 상반기에 BiCS3 제품을 양산하길 기대하고 있다.
시바 시바람 웨스턴디지털 메모리 기술 수석 부사장 박사는 “BiCS3는 더 큰 용량과 우수하고 신뢰할 수 있는 성능을 적정 비용으로 제공하는 고급 고 종횡비 (High aspect ratio) 반도체 공정 기술과 TLC(셀 당 3비트 저장 기술) 기술 사용이 특징”이라며 “BiCS2와 함께 웨스턴디지털의 3D 낸드 포트폴리오는 더욱 폭 넓어졌으며 리테일, 모바일 및 데이터센터 영역의 고객 애플리케이션 전 영역을 해결할 수 있는 능력이 강화됐다”고 말했다.
웨스턴디지털의 기술과 제조 파트너인 도시바(Toshiba)와 함께 개발된 BiCS3는 256기가비트(Gb)에 가장 먼저 적용될 것이며, 단일 칩에 최대 512기가비트(half a terabit)까지 적용될 것이다. 웨스턴디지털은 2016년 4분기에 BiCS3를 대량 양산할 예정이며 이번 분기에 OEM샘플링을 시작할 예정이다. 웨스턴디지털의 이전 세대 3D 낸드 기술인 BiCS2 또한 소매 고객과 OEM 고객에게 계속 출하된다.
저작권자 © CCTV뉴스 무단전재 및 재배포 금지
