ST마이크로일렉트로닉스(이하 ST)가 최신 엠디메쉬(MDmesh) DM2 N-채널 전력 MOSFET 트랜지스터를 공개했다. 컴퓨터, 통신 네트워크, 산업 및 컨수머 기기의 저전력 전원 공급 장치의 효율성을 더욱 향상시킬 수 있는 제품이다.
전세계적으로 전자책, 비디오, 사진, 음악파일과 같은 디지털 데이터를 수집하고 저장하고 공유하는 규모가 급격히 증가하는 추세다. 이에 따라 클라우드를 호스트하는 대규모 서버팜(Server Farm)은 물론 모든 사람과 사물의 연결 매개체가 제공될 뿐 아니라 궁극적으로는 데이터 사용이 이루어지는 통신 네트워크에서의 에너지 소모를 최소화할 필요가 증가하고 있다.
ST는 최첨단 전력-트랜지스터 구조에 작은 사이즈와 비용 효율성, 열효율이 뛰어난 파워플랫(PowerFLAT) 8x8 HV 패키징 기술을 결합한 세계 최상의 전력밀도 솔루션을 통해 이러한 과제를 해결해 나가고 있다.
ST의 새로운 전력-트랜지스터 제품군은 고속 회복(Fast-Recovery) 다이오드를 탑재하고 있으며 최고 650V의 항복전압을 갖춘 다양한 초접합(Super-Junction) 전력 MOSFET으로 구성된다.
낮은 게이트 차지(Gate Charge), 입력 커패시턴스 및 저항, 고속 회복 위상 진성 다이오드, 매우 낮은 회복 차지(Qrr) 및 회복 시간(Trr), 소프트-스위칭(Soft-Switching) 성능 등의 기술적 특성을 모두 갖추어 경쟁력도 뛰어나다.
ST의 새로운 엠디메쉬 DM2 전력 MOSFET 디바이스는 현재 다양한 패키지 및 항복전압 조합으로 공급되고 있으며 1000개당 1.55달러다.
