도시바 반도체·스토리지 제품 부문이 삽입 손실이 매우 낮은 무선 주파수(RF) 스위치 애플리케이션에 최적화한 차세대 TarfSOI(도시바의 첨단 RF SOI(실리콘-온-인슐레이터)) 공정인 ‘TaRF8’을 개발했다고 발표했다.
새로운 공정으로 생산한 스마트폰 용 SP12T[3] RF스위치 IC(집적회로)의 샘플은 오는 2016년 1월부터 출시한다.
모바일 애플리케이션용 MIPI-RFFE 컨트롤러를 통합한 전송 RF 스위치 IC인 SP12T는 3GPP GSM, UMTS, W-CDMA, LTE 및 LTE-어드밴스트 표준에 적합하다. RF스위치에 최적화한 도시바 고유의 SOI-CMOS TarfSOI 프론트 엔드 공정의 차세대 공정인 TaRF8을 활용한 제품은 2.7GHz 대역에서 삽입 손실이 0.32dB다. 이는 도시바의 현행 TaRF6공정을 사용한 제품과 동일 왜곡 특성을 유지하면서 그에 비해 삽입 손실이 0.1dB 개선된 것이다.
모바일 통신이 고용량 데이터를 고속 전송하는 방향으로 진전됨에 따라 스마트폰을 포함한 모바일 기기용 RF 스위치 IC가 다중 포트를 지원하고 RF성능이 향상되지 않으면 안 된다. 이를 위해서는 삽입 손실을 낮춰야 RF전송 전력 손실을 줄여서 모바일 기기의 배터리를 더 오래 사용할 수 있게 하기 때문에 삽입 손실을 낮추는 것이 특히 중요하다.
도시바는 아날로그와 디지털 회로를 통합하기에 적합한 SOI-CMOS(상보형금속산화반도체) 공정기술을 적용하는 자체 팹을 이용해 고성능 RF 스위치 IC를 개발중에 있다. 도시바는 RF공정기술 개발에서부터 RF스위치 칩의 디자인과 제조에 이르는 모든 생산 과정을 직접 처리함으로써 자체적으로 개발한 RF 스위치 IC 제품 기술에 대응해 SOI-CMOS공정 기술을 신속하게 향상시킬 수 있다. 도시바는 이 같은 종합반도체제조(IDM) 접근 방식을 채택함으로써 실제 제품 생산에 적합한 새로운 공정 기술을 신속히 확립해 최신 공정기술로 생산한 제품을 출시할 수 있게 된다.
