TI, 고저항성 갖춘 1.2㎟ 펨토펫 60V N-채널 전력 MOSFET 출시
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TI, 고저항성 갖춘 1.2㎟ 펨토펫 60V N-채널 전력 MOSFET 출시
  • 이나리 기자
  • 승인 2016.06.23 08:23
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TI가 매우 낮은 저항을 달성하는 새로운 60V N 채널 펨토펫(FemtoFET) 전력 트랜지스터 제품을 출시한다고 밝혔다.

신제품 CSD18541F5는 기존 60V 부하 스위치보다 90% 낮은 저항을 달성함으로써 최종 시스템의 전력 손실을 줄여준다. 또 극소형의 1.53mm x 0.77mm 실리콘 기반 패키지로 제공돼 SOT-23 패키지로 제공되는 부하 스위치와 비교해서 풋프린트가 80% 절감된 크기다.

▲ CSD18541F5는 기존 60V 부하 스위치보다 90% 낮은 저항을 달성함으로써 최종 시스템의 전력 손실을 줄여준다.

CSD18541F5 MOSFET은 54㏁의 정격 온-저항(Rdson)을 유지하며 공간 제약적인 산업용 부하 스위치 애플리케이션에서 표준적 소신호 MOSFET을 대체하도록 설계 및 최적화됐다. 또 소형화된 LGA(land grid array) 패키지로 패드 간에 0.5mm 피치이므로 제조시에 탑재를 용이하게 한다.

CSD18541F5는 TI 넥스펫(NexFET) 기술 포트폴리오의 펨토펫 MOSFET 제품군의 신제품으로써 더 높은 전압을 제공하고 제조를 용이하게 한다.

CSD18541F5는 10V 게이트-대-소스(VGS) 전압조건에서 기존의 60V 부하 스위치 보다 90% 작은 54mW의 극히 낮은 Rdson을 달성해 전력 손실을 줄일 수 있으며 극히 소형화된 1.53mm x 0.77mm x 0.35mm LGA 패키지로 SOT-23 패키지의 기존 부하 스위치보다 80% 작은 크기를 자랑하며 PCB 공간을 절약할 수 있다.

또 제조공정에 용이한 0.5mm 패드 피치로 ESD(electrostatic discharge) 보호 다이오드를 통합함으로써 MOSFET 게이트를 과전압으로부터 보호한다.

CSD18541F5는 TI 및 TI 공인 대리점을 통해서 현재 대량으로 공급되고 있다. 3핀 LGA 패키지로 제공되며 가격은 1000개 수량 기준으로 개당 0.14달러다. 또한 PSpice 트랜지언트 모델을 제공한다.

 



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