IDT와 e실리콘은 무선, 임베디드, 컴퓨팅 인프라를 위한 새로운 시스템 아키텍처의 성능에 대한 요구가 높아짐에 따라 차세대 래피드(Rapid)IO 스위치의 개발을 앞당기기 위해 협력하기로 발표했다. 양사는 래피트IO 10xN사양 기반으로 포트당 40Gbps로 동작하는 래피드IO 스위치의 초기 연구와 개발에 힘을 모을 계획이다.
이번 협력을 통해 개발되는 스위치를 사용하면 차세대 무선 기지국, 클라우드 무선 접속망 (radio access network, RAN), 모바일 엣지(mobile-edge) 컴퓨팅 등 여러 진화하는 통신업체 네트워크(carrier network) 제조사들이 데이터 사용량과 휴대용 기기 사용의 폭발적인 증가에 한 발 앞서 대처할 수 있을 것으로 기대된다.
e실리콘 CEO 잭 하딩은 “설계에서부터 구현과 대량 생산에 이르기까지 양사의 R&D 협력은 차세대 래피드IO 제품 개발 시간을 단축해 더 큰 용량, 더 넓은 대역의 기지국과 통신업체 플랫폼에 대한 증가하는 수요에 대처해나갈 것”이라며 “e실리콘의 고속 서데스(SerDes) 적용 및 주문제작 메모리 설계를 포함한 28나노 구현 전문 지식은 IDT 전문인 래피드IO 설계에서 부족한 부분을 잘 보완해줄 수 있을 것으로 기대한다”고 전했다.
래피드IO 10xN 스위치는 100ns의 낮은 지연 속도, 대역 포트당 40Gbps 속도, 네트워크당 40억 노드 이상의 확장성이라는 최적의 조합을 제공할 것이다. 공동으로 개발할 제품들은 LTE-A, C-RAN, 5G 등 차세대 기지국 플랫폼을 대상으로 하지만 고성능 컴퓨팅(high-performance computing, HPC) 플랫폼과 공동 사용할 수 있는 기지국 등 새롭게 등장하는 아키텍처에서도 사용될 수 있을 것으로 예상된다.
IDT의 포트당 20Gbps의 스위치 제품은 현재 DSP 클러스터링, 마이크로프로세서 세계 전역에 설치된 기존 3G 및 4G 기지국 내의 ASIC에서 사실상 인터커넥트 표준으로 자리잡았다.
이번 협력을 통해 개발된 공동 제품은 기존의 스위치 및 브리지 제품군을 기반으로 하며 2015년 하반기에 선보일 계획이다.
IDT CEO 그레고리 워터스는 “통신 인프라의 지속적인 개발을 위해서는 인터커넥트 부분에서의 발전이 필수적으로 IDT의 기존 래피드IO 스위치는 사실상 세계 모든 4G 기지국에서 사용되고 있지만 곧 등장할 차세대 기지국과 C-RAN으로 인해 그 어느 때보다 높은 성능이 요구되고 있다”며 “e실리콘과의 협력을 통해 IDT는 래피드IP 적용을 앞당김으로서 우리 고객과 통신 업계 전반에 도움이 될 수 있기를 희망한다”고 밝혔다.
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