SK하이닉스가 D램 분야에서 또 한번 세계 최고 기술력을 과시했다.
SK하이닉스는 속도와 용량, 품질에서 현존 D램 중 최고 사양을 지닌 ‘HBM3’를 업계 최초로 개발했다고 21일 밝혔다.
HBM(High Bandwidth Memory)은 다수의 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다. 이번 HBM3는 HBM의 4세대 제품으로 SK하이닉스는 지난해 7월 업계 최초로 HBM2E D램의 양산을 시작한 지 1년 3개월 만에 HBM3 개발에 성공하며 관련시장의 주도권을 확고히 했다.
HBM3의 최대 강점은 단연 속도다. 무려 초당 819GB의 데이터를 처리할 수 있다. 이는 풀HD급 영화(5GB) 163편 분량의 데이터를 단 1초 만에 처리하는 수준이다. 이전 세대인 HBM2E와 비교해도 약 78% 빨라졌다.
또한 이 제품에는 오류정정코드가 내장돼 있다. HBM3는 이 코드를 통해 D램 셀에 전달된 데이터의 오류를 스스로 보정할 수 있어 제품의 신뢰성이 대폭 향상됐다.
HBM3는 16GB와 24GB 두 가지 용량으로 출시될 예정이다. 이중 24GB는 업계 최대 용량이다. 24GB의 구현을 위해 SK하이닉스 기술진은 단품 D램 칩을 A4 용지 한 장 두께의 1/3인 약 30μm 높이로 갈아낸 후 이 칩 12개를 TSV(Through Silicon Via) 기술로 수직 연결했다.
SK하이닉스는 앞으로 HBM3가 고성능 데이터센터와 슈퍼컴퓨터에 탑재돼 산업과 기술의 혁신을 가속화하는 데 크게 기여할 것으로 보고 있다.
차선용 SK하이닉스 D램개발담당 부사장은 “HBM2E에 이어 다시 한번 업계 최초로 HBM3 개발에 성공했다”며, “앞으로도 프리미엄 메모리 시장의 리더십을 공고히 하는 한편, ESG 경영에 부합하는 제품을 공급해 고객 가치 제고에 최선을 다할 계획”이라고 말했다.
