기사 (3건) 리스트형 웹진형 타일형 SK하이닉스, 현존 최고 속도 D램 ‘HBM3’ 업계최초 개발 SK하이닉스, 현존 최고 속도 D램 ‘HBM3’ 업계최초 개발 SK하이닉스가 D램 분야에서 또 한번 세계 최고 기술력을 과시했다.SK하이닉스는 속도와 용량, 품질에서 현존 D램 중 최고 사양을 지닌 ‘HBM3’를 업계 최초로 개발했다고 21일 밝혔다.HBM(High Bandwidth Memory)은 다수의 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다. 이번 HBM3는 HBM의 4세대 제품으로 SK하이닉스는 지난해 7월 업계 최초로 HBM2E D램의 양산을 시작한 지 1년 3개월 만에 HBM3 개발에 성공하며 관련시장의 주도권을 기업 동향 | 황민승 기자 | 2021-10-21 17:24 삼성전자, AI 엔진 탑재 메모리 라인업 확충 삼성전자, AI 엔진 탑재 메모리 라인업 확충 삼성전자가 인공지능(AI) 탑재 메모리 반도체 제품군을 확대하면서 관련시장 공략 속도를 높이고 있다. 메모리와 시스템반도체의 융복합화를 주도하면서 다양한 글로벌 기업들과 협력을 통해 차세대 메모리 반도체 생태계를 확대해 나가기 위한 전략적 행보다.삼성전자는 24일 온라인으로 개최된 핫칩스(Hot Chips) 학회에서 지난 2월 업계 최초로 개발한 HBM-PIM과 PIM 기술을 적용한 다양한 제품군 및 응용사례를 소개했다고 밝혔다.삼성전자는 이날 D램 모듈에 AI 엔진을 탑재한 ‘AXDIMM(Acceleration DIMM)’, 모바 기업 동향 | 황민승 기자 | 2021-08-24 17:54 삼성전자, 미세화 한계 극복한 ‘2세대 10나노 D램’ 양산 시작 삼성전자, 미세화 한계 극복한 ‘2세대 10나노 D램’ 양산 시작 [CCTV뉴스=이나리 기자] 삼성전자가 반도체 미세 공정 개발 난제를 극복하고 세계 최초로 '10나노급 2세대(1y나노) D램'을 양산한다. 삼성전자는 지난 11월부터 세계 최소 칩 사이즈의 10나노급(1나노 : 10억분의 1미터) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산하고 있다. 2016년 2월에 '1x나노(10나노급 1세대) 8Gb D램'을 양산하며, 본격적인 10나노급 D램 시대를 연 삼성전자는 21개월만에 또다시 반도체 미세공정 한계를 극복했다. 삼성전자는 차세 IT종합 | 이나리 기자 | 2017-12-20 14:46 처음처음1끝끝