미크렐(Micrel)이 데드(Dead) 타이밍을 조정할 수 있고 중첩 동작 보호 기능을 갖춘 85V 하프 브리지 MOSFET 드라이버인 MIC4605(www.micrel.com/index.php/en/products/power-...)를 출시했다.

데드 타이밍 콘트롤 회로는 하프 브리지를 능동적으로 모니터링해 하이 및 로우 사이드 MOSFET 전환간 시간을 최소화해 파워 효율성을 극대화해 준다. 중첩 동작 방지 회로는 동시에 양쪽 MOSFET를 켜면서 우발적으로 발생하는 입력 및 소음을 방지해 준다.

MIC4605는 또한 폭 넓은5.5V~16V의 작동 전력 공급 범위를 제공해 시스템 효율성을 극대화해 준다. 낮은 5.5V 작동 전압은 배터리 구동 작업에서의 작동 시간을 연장할 수 있게 해준다.

이런 기능 때문에 MIC4605는 파워 툴 및 파워 DC/AC 인버터 등 파워 업계에서 가장 까다로운 배터리 구동 모터 응용 작업에 이상적인 솔루션이라는 것이 므크렐츼 설명이다.

MIC4605는 현재 SOIC 패키지 옵션으로 1000개 수량에 0.55달러부터 시작하는 가격으로 대량 구입이 가능하다.

브라이언 헤다야티 미크렐 고성능 리니어 및 파워 솔루션스 마케팅 담당 부사장은 “새로운 정부 규제에 따라 더 높은 효율성을 요구하는 소리가 커지고 있다. 전기 모터는 전력을 가장 많이 소비하는 것 중 하나이기 때문에 모터 드라이버 디자이너들은 좀 더 효율적이고 신뢰할 수 있는 솔루션을 필요로 한다. MIC4605는 모터 구동, UPS 및 DC/AC 인버터 등 다양한 응용작업에 대응할 수 있도록 설계된 업계에서 가장 고신뢰성인 전력 효율적인 하프 브리지 MOSFET 드라이버”라고 말했다.

데드 타이밍을 조정할 수 있는 어댑티브 데드 타임(ADT) 회로는 하프 브리지 스위치 회로에서 MOSFET를 적극적으로 모니터링해서 한 번에 단 하나의 MOSFET만 작동하도록 해서 하프 브리지 회로를 영구히 손상시킬 수 있는 중첩 동작 상태를 원천 차단한다.

ADT 회로는 또한 하이 사이드 및 로우 사이드 MOSFET간의 전환을 최대한 짧게 유지해서 전력 효율성을 저하하는 긴 데드 타임으로 인한 전력 손실을 최소화한다. ADT 회로는 HI 및 LI 입력간의 데드 타임 마진과 시간 지연을 설계할 필요성을 최소화해 중첩 동작을 방지하고 마이크로컨트롤러의 여유공간 확보 필요성을 줄여준다. 또한 85V의 작동 전압은 모터 드라이브 및 전력 공급 응용 작업에서 발생하는 전압 스파이크에 대한 보호로서 충분한 마진을 제공해 준다. 이로 인해 MIC4605는 저전압 및 고전압 응용작업의 이상적인 솔루션이 될 수 있다.

MIC4605는 1nF 용량성 부하에 대해 신속한 30ns 전파 지연 시간과 35ns 드라이버 라이징·폴(Rising/Fall) 시간을 갖추고 있다. MIC4605 -1의 경우 TTL 입력은 로우 사이드 및 하이 사이드 게이트 드라이버를 독립적으로 통제할 수 있게 해준다. MIC4605 -2에는 로우 사이드 및 하이 사이드 게이트 드라이버용으로 단일 PWM 입력이 갖춰져 있다.

어느 모드에서도 출력이 중첩되지 않는다. 내부의 고압 스캇키(Schottky) 다이오드는 하이 사이드, 게이트 드라이브, 부트스트랩(외부) 커패시터를 충전한다. MIC4605는 8-핀 SOIC 패키지 및 소형 10-핀 2.5mm×2.5mm TDFN 패키지로 구입할 수 있다. 두 패키지 모두 섭씨 영하 40도에서 영상 125도까지의 작동 접합 온도 범위를 갖추고 있다.