마이크론, 16나노미터 플래시 메모리 기술 선봬
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마이크론, 16나노미터 플래시 메모리 기술 선봬
  • 이광재 기자
  • 승인 2013.07.17 00:00
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마이크론테크놀러지가 차세대 16나노미터(nm) 프로세스 기술을 샘플링해 128Gb MLC(multi-level cell) NAND 플래시 메모리 장치를 구현하고 있다고 밝혔다.

16nm 노드는 반도체 장치를 샘플링하는 데 필요한 최첨단 노드다. 이를 통해 마이크론은 스토리지 기술 개발에서 선도적인 위치가 강화될 것이며 자사 비전을 바탕으로 최고급 반도체 솔루션을 제공하게 될 것이라고 설명했다.

마이크론 128Gb MLC NAND 플래시 메모리 장치는 소비자 SSD, 탈착식 스토리지(USB 드라이브 및 플래시 카드), 태블릿, 초박막 장치, 휴대 단말기 및 데이터 센터 클라우드 스토리지 같은 애플리케이션을 겨냥한 것이다.

신형 128Gb NAND 플래시 메모리는 제곱 밀리미터 당 가장 많은 비트 수를 제공하며 기존의 MLC 장치의 비용을 크게 낮출 수 있다. 이 신기술로 단일 웨이퍼 상에서 거의 6TB의 스토리지가 구현될 수 있다.

현재 마이크론은 일부 파트너들과 16nm, 128Gb MLC NAND를 샘플링하고 있으며 올 4분기에 전면 생산에 들어갈 계획이다. 또한 이 장치에 기반한 새로운 SSD 솔루션 라인을 개발하고 있으며 2014년에 16nm 플래시와 함께 SSD를 출시할 예정이다.



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