키옥시아-웨스턴디지털, 6세대 162단 3D 플래시 메모리 기술 개발
메모리 반도체 기업 키옥시아(Kioxia Corporation)와 스토리지 솔루션 기업 웨스턴디지털(Western Digital)이 6세대 162단 3D 플래시 메모리 기술을 개발했다.
이번에 발표된 6세대 3D 플래시 메모리는 기존 8스태거(eight-stagger) 구조의 메모리 홀 어레이를 능가하는 고도화된 아키텍처와 5세대 대비 10% 증가한 측면 셀 어레이 밀도를 특징으로 한다. 이러한 측면 미세화의 발전은 162단 수직 적층 메모리와 결합해, 112단 적층 기술 대비 40% 감소한 다이(die) 크기를 구현했다.
키옥시아와 웨스턴디지털은 6세대 3D 플래시 메모리에 ‘서킷 언더 어레이(Circuit Under Array)’ CMOS 배치와 ‘4플레인(four-plane)’ 방식을 함께 적용해 이전 세대 대비 2.4배가량 향상된 프로그램 성능과 10%의 읽기 지연 시간(read latency) 개선을 달성했다. 입출력(I/O) 성능 또한 66% 향상됐다.
6세대 3D 플래시 메모리 기술은 비트당 비용 절감을 지원할 뿐 아니라, 웨이퍼당 비트 생산 또한 이전 세대 대비 70% 증가시킨다.
마사키 모모도미(Masaki Momodomi) 키옥시아 CTO는 “전 세계 플래시 메모리 비트 중 30%를 생산하고 있는 양사는 합리적인 가격에 높은 용량과 뛰어난 성능 및 신뢰성을 제공한다는 공통된 목표를 위해 힘쓰고 있다”고 말했다.
시바 시바람(Siva Sivaram) 웨스턴디지털 기술 및 전략 부문 사장은 “이번 6세대 기술로 키옥시아와 웨스턴디지털은 더 작은 크기의 다이와 적은 수의 단으로도 한층 높은 용량을 달성할 수 있는 수직 및 측면 미세화 혁신을 선보였다”고 설명했다.