ams가 고성능 아날로그 초저잡음 CMOS 공정기술인 ‘A30’을 발표했다. 새로운 A30 공정은 탁월한 초저잡음 성능을 제공하며 ams의 첨단 0.35㎛ 고전압 CMOS 공정 제품군보다 0.9배의 광학적 축소(optical shrink)를 실현했다.
A30 기술은 절연 3.3V 디바이스(NMOSI 및 PMOSI), 절연 3.3V의 낮은 문턱전압(Vt) 디바이스(NMOSIL 및 PMOSIL), 얇은 게이트 산화막을 갖는 절연 고전압 디바이스(NMOSI20T), 수직 양극성 트랜지스터(VERTN1 및 VERTPH)는 물론 0.46pA/O㎐(1㎑, Ids=1㎂ @Vds=3V, 10×1.2μm² 조건)의 수준에서 플리커 잡음을 제공하는 절연 3.3V 초저전압 트랜지스터 (NMOSISLN)에 최적화된 성능을 제공하는 것이 특징이다.
H35 공정과 비교할 때 새로운 공정 기술은 높은 드레인 전류에 대해 플리커 잡음을 최소 4~10배 줄일 수 있다. 이러한 특성 덕분에 A30 공정은 다양한 커패시터(폴리, 샌드위치 및 MOS 가변용량 반도체 다이오드(varactor))와 저항(디퓨전, 웰 기반(well-based), 폴리, 높은 저항성 폴리 및 정밀) 같은 수동 소자들에 적합하다.
A30 공정은 입력단에 최적화된 잡음이나 높은 신호대잡음비(SNR)를 요구하는 초저잡음 센싱 애플리케이션 및 아날로그 판독 IC에 매우 이상적이며 소비자가전, 자동차, 의료 및 사물인터넷(Iot) 디바이스를 위한 혁신적인 솔루션 개발을 가능하게 해준다.
A30 공정은 매우 낮은 결함 밀도와 높은 수율을 보장하는 ams의 최첨단 200mm 팹 설비에서의 제조가능성에 대한 검증을 완벽하게 마쳤다. 0.30㎛ 공정의 모든 요소들은 0.35㎛ 디바이스를 이용해 추출 및 검증됐다. 광학적 축소(0.9배)는 완성된 GDSII 데이터를 가지고 마스크 숍에서 이뤄졌으며 그 결과 각각 더 작아진 다이 크기 덕분에 웨이퍼당 더 많은 다이 생산이 가능해졌다.
A30 공정은 업계 벤치마크 공정 설계 키트로 널리 알려진 ams의 히트키트(hitkit)를 통해 지원된다. 케이던스(Cadence)의 버추오소 커스텀 IC(Virtuoso Custom IC) 기술 6.1.6을 기반으로 하는 이 새로운 히트키트는 설계 팀이 아날로그 집중적인 혼성신호 분야에서 경쟁력 높은 제품의 출시기간을 대폭 줄일 수 있게 해준다.
캘리버(Calibre)와 아수라(Assura), 그리고 유연한 SKILL 기반 PCell 모두에 대해 정확도 높은 시뮬레이션 모델, 추출 및 검증 런 세트(run set)를 제공함으로써 새로운 히트키트는 반도체에 대한 포괄적인 설계 환경과 검증된 경로를 제공한다.
