삼성전자가 ‘하이케이 메탈 게이트 (High-K Metal Gate, 이하 HKMG)’ 공정을 적용한 512GB DDR5 메모리 모듈을 개발했다고 발표했다. HKMG는 반도체의 미세 공정에서 발생하는 누설 전류를 막기 위해 유전율 상수(K)가 높은 물질을 활용하는 기술이다.
HKMG가 적용된 삼성전자 DDR5 메모리 모듈은 기존 공정과 비교해 전력 소모가 약 13% 감소해 데이터 센터와 같이 전력 효율이 중요한 응용처에 최적의 솔루션이 될 것으로 삼성전자는 기대했다.
또한 삼성전자에 따르면, DDR5는 차세대 D램 규격으로 7200Mbps의 전송 속도를 제공한다. 이는 기존 DDR4 대비 2배 이상의 속도로, 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편 정도를 처리할 수 있다.
이번 제품은 범용 D램 제품으로는 처음으로 8단 TSV(Through Silicon Via, 실리콘 관통 전극) 기술이 탑재됐다. 삼성전자는 고용량 메모리 시장의 확대와 데이터 기반 응용처 확산에 따라 16Gb(기가비트) 기반으로 8단 TSV 기술을 적용해 DDR5 512GB 모듈을 개발했다.
삼성전자는 2014년 범용 D램인 DDR4 메모리에 4단 TSV 공정으로 64GB에서 256GB까지 고용량 모듈 제품을 서버 시장에 선보인 바 있다.
손영수 삼성전자 메모리사업부 상품기획팀 상무는 “삼성전자는 메모리 반도체와 시스템 반도체 기술 경쟁력을 바탕으로 업계 최초로 HKMG 공정을 메모리 반도체에 적용했다”며 “이러한 공정 혁신을 통해 개발된 DDR5 메모리는 뛰어난 성능과 높은 에너지 효율로 자율주행, 스마트 시티, 의료 산업 등으로 활용 분야가 확대될 고성능 컴퓨터의 발전을 가속할 것”이라고 전했다.
캐럴린 듀란(Carolyn Duran) 인텔 메모리 & IO 테크놀로지 총괄 VP는 “처리해야 할 데이터양이 기하급수적으로 늘어나는 클라우드 데이터센터, 네트워크, 엣지 컴퓨팅 등에서 차세대 DDR5 메모리의 중요성이 대두되고 있다”며 “인텔은 인텔 제온 스케일러블(Intel Xeon Scalable) 프로세서인 사파이어 래피즈(Sapphire Rapids)와 호환하는 DDR5 메모리를 선보이기 위해 삼성전자와 긴밀하게 협력하고 있다”고 말했다.
