[CCTV뉴스=이나리 기자] 정부 지원 아래 반도체에 집중 투자하고 있는 중국 업체들이 기술적으로 D램(DRAM) 보다 진입 장벽이 높아 미뤄왔던 낸드(NAND) 제품 양산을 빠르면 2018년 하반기나 2019년부터 본격화할 것으로 보여진다. 

현재 중국에서 건설 중이거나 계획돼 있는 300mm 팹은 12개다. 이 중 메모리 팹은 총 3개이며,낸드 팹 1개, D램 팹 2개가 포함된다. 

낸드 팹은 칭화 유니그룹 계열의 YMTC(Yangtze Memory Technologies Company)가 짓고 있다. 칭화유니그룹은 우한, 청도, 난징 등의 지역에 반도체 제조라인을 구축하기 위해 84조 원을 투자했고, 2018년 3D 낸드플래시를 양산할 계획이라고 밝혔다.