삼성전자가 지난 8월10일 미국 산타클라라 컨벤션 센터에서 열린 ‘플래시 메모리 서밋 2016(Flash Memory Summit)’에서 차세대 V낸드 솔루션을 전격 공개하고 플래시 메모리의 새로운 가능성을 제시했다.

삼성전자는 이번 플래시 메모리 서밋에서 4세대(64단) V낸드 기술을 바탕으로 3차원 메모리 기술 리더십을 공고히 하고 빅데이터 시대를 맞아 초고용량의 ‘테라’ 시대를 주도해 나간다는 중장기 전략을 공개했다.

삼성전자는 빅데이터의 증가와 고속 처리, 데이터센터 관리 비용 절감 등 시장 요구에 맞춰 고용량·고성능·초소형 솔루션으로 기업 고객들의 IT 투자 효율을 극대화하겠다는 전략이다.

이에 따라 삼성전자는 ▲기존 3세대(48단) 제품 대비 적층 단수를 30% 높인 4세대(64단) V낸드 ▲고용량 서버용 32TB SAS SSD ▲울트라 슬림 PC용 1TB BGA NVMe SSD ▲하이엔드용 Z- SSD 등 혁신적인 4세대 V낸드 기반 신제품을 선보였다.