페어차일드가 보안 카메라, 무선 액세스 포인트, LED 라이팅 및 기타 이더넷을 통해 전력을 공급받는(POE) 다양한 전력 장치(PD)를 위한 차세대 그린브릿지(GreenBridge) 시리즈 중 첫 번째 제품인 FDMQ8205로 그린브릿지 액티브 브리지 쿼드 MOSFET 기술 강화에 나섰다.
이제 설계자들은 그린 브릿지의 동급 최강 Rdson 성능, 초소형 폼 팩터 및 뛰어난 열 특성을 활용해 온도를 낮추고 효율성을 높이는 동시에 솔루션의 크기를 줄일 수 있게 됐다고 페이처일드는 설명했다.
차세대 그린브릿지 시리즈는 IEEE 802.3at 표준을 준수하며 소비 전력이 쇼트키(Schottky) 다이오드보다 최대 10배나 더 낮다. 이렇게 우수한 열 특성 덕분에 설계자는 히트싱크의 크기를 줄이거나 제거함으로써 제품 설계를 단순화하고 BOM 비용을 절감하며 PCB 크기를 줄일 수 있다.
수만 나랴얀 페어차일드 인텔리전트 파워 FET 사업부 부사장은 “열을 잘 처리하는 것은 설계시에 언제나 중요한 문제이며, 특히25.5W 이상의 전력을 필요로 하는 새로운 세대의 IoT 장치의 경우에는 더욱 중요하다. 페어차일드의 최신 그린브릿지 시리즈의 선진 MOSFET 기술은 설계자에게 과열 문제를 해결해주는 동시에 더 높은 효율성, 표준 준수 보장, 전체 크기 축소, 비용 절감과 같은 주요 설계상 목표를 달성할 수 있도록 지원한다”고 설명했다.
또 POE 시스템의 제한 입력 전력으로 인해 전력과 전압을 극대화해야 하므로 그린브릿지 시리즈의 전도 손실이 매우 낮다는 것 또한 중요한 장점이다. 그 외에도 그린 브릿지 시리즈는 최적화된 파워트렌치(PowerTrench) MOSFET 기술의 전력변환 효율성 덕분에 경쟁 제품 대비 전도 손실률이 47%나 낮아 동급 최고의 Rdson 성능이다.
그린브릿지 시리즈는 크기도 작으므로 기존 세대보다 크기를 줄여야 하는 차세대 POE 기반 구조에 이상적이다. 크기가 4.5㎜×5㎜에 불과한 그린브릿지 제품에는 풀 브리지에서 연결된 MLP 패키지에 4개의 MOSFET이 통합돼 있으며 크기가 작음에도 외부 드라이버가 필요하지 않아 PCB 공간이 절감된다.
