로옴, 전력 손실 낮춘 파워 디바이스 'SiC-MOSFET' 본격 양산 돌입
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로옴, 전력 손실 낮춘 파워 디바이스 'SiC-MOSFET' 본격 양산 돌입
  • 이나리 기자
  • 승인 2015.08.28 09:13
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전력변환 시 전력손실 감소, 스위칭 성능 향상…자동차, 태양광 등에 유용

로옴의 한국지사 로옴 세미컨덕터 코리아가 세계 최초로 트렌트(Trench) 구조를 채용한 파워 디바이스 실리콘 카바이드 모스펫(SiC-MOSFET)의 본격 양산체제를 구축하면서 8월27일 쉐라톤 서울 디큐브시티 호텔에서 제품 발표회를 가졌다.

이날 제품 발표회는 로옴 한국지사의 권오주 대표와 로옴 본사의 나카무라 다카시(NAKAMURA TAKASHI) 부장이 참석해 로옴의 방향성과 신제품 특징 등에 대해 설명했다.

권오주 대표는 “로옴의 생산체제는 최근 기술력을 가진 기업들을 인수해오면서 실리콘(Sic) 기판, SiC 디스크리트 디바이스, SiC모듈 등으로 다양화되고 있다”며 “로옴은 파워디바이스와 센서분야로 확장하면서 앞으로 자동차 분야와 산업 기기 분야로 전환해 가고 있으며 자동차 분야를 통해 매출 향상을 기대하고 있다”고 말했다.

파워 반도체란 전력을 변환하는 반도체 디바이스인데 SiC는 전력 변환시 실리콘보다 손실을 감소시킬 수 있다는 점이 큰 장점이다.

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