인텔, 1000배 빠른 메모리 기술 발표
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인텔, 1000배 빠른 메모리 기술 발표
  • 이호형 기자
  • 승인 2015.07.30 09:15
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인텔이 7월29일 삼성동 코엑스인터컨티넨탈 호텔에서 기자간담회를 열고 마이크론(Micron Technology)과 함께 개발한 비휘발성(non-volatile) 메모리 기술 3D 크로스 포인트(3D X Point)를 선보였다.

마이크로세스 성능이 빠르게 진화하고 스토리지의 데이터량이 대폭 증가하면서 서비스 제공업체와 시스템 제조사들은 메모리(memory)나 스토리지(storage) 솔루션을 설계하는 데 있어 가격, 전력소비, 성능 3요소를 무시할 수 없는 부분이다.

▲ 인텔 찰스 브라운 박사가 3D 크로스 포인트(3D X Point) 기술 설명에 나섰다.

이에 인텔과 마이크론은 현재 시장에 있는 메모리 기술의 장점을 결합해 3D 크로스 포인트 기술을 내놓았다. 이 기술은 비휘발성 메모리인 낸드(NAND)와 비교 시 약 1000배의 속도와 내구성을 가지고 있으며 기존 일반 메모리에 비해 10배 향상된 용량을 제공한다. 

3D 크로스 포인트 기술은 ‘크로스 포인트 어레이(Cross Point Array)’ 구조로 1280억개의 고밀도 패킹 메모리 셀이 수직 전도체로 연결돼 있고 각 메모리 셀은 데이터 1비트(bit)를 저장할 수 있다.

메모리 셀(cell)은 워드 라인과 비트 라인의 교차점에 놓여 3차원 바둑모양을 형성하고 그 결과 미세한 단위로 데이터를 읽고 쓸 수 있다.

▲ 메모리 셀(cell)은 워드 라인과 비트 라인의 교차점에 놓여 3차원 바둑모양을 형성한다.

3D 크로스 포인트 기술은 크로스 포인트 어레이 구조와 함께 ‘적층 구조’를 적용해 메모리 레이어(layer) 2개를 쌓아 다이(die)당 128Gb를 저장할 수 있으며 기존의 리소그래피(lithographic) 피치 확장 방식을 더해 더 많은 메모리 레이어를 활용할 수 있다.

3D 크로스 포인트 기술은 방대한 양의 데이터를 나노초(nanoseconds, 10억 분의 1초)에 처리할 수 있어 이는 다양한 분야에서 적용이 가능하다는 인텔의 설명이다.

찰스 브라운(Charles Brown) 인텔 SSD 스토리지 솔루션 설계 담당자는 “게이밍 같이 유저가 엄청난 양의 메모리를 생산하는 게임 분야에서 8K 레벨의 게임도 원활하게 이용할 수 있으며 금융권에서 신용카드 부정거래 포착 등 다양한 분석도 가능하다. 또 생명과학, 유전DNA 분야에서도 테라바이터급 샘플을 처리할 수 있다”라고 말했다.

▲ 3D 크로스 포인트 기술 이미지.

인텔은 3D 크로스 포인트를 적용한 메모리칩을 유타주 리하이에서 이미 생산하고 있으며 2016년에는 대량 생산할 전망이라고 보고 있다.

브라운 박사는 적층 구조를 활용한 부분이 AMD의 HBM 메모리와 비슷한 기술이지 않냐는 질문에 “HBM 메모리와 근본적인 이론은 비슷하지만 혁신적인 소재와 아키텍처로 구현한 부분이 다르다”며 “아쉽지만 소재는 비밀이라 공개 할 수 없다고”라고 덧붙였다.

인텔은 3D 크로스 포인트 기술이 다양한 분야와 여러 기술 등에 접목이 가능하며 다른 메모리에 비해 충분히 가격이 저렴할 것이라고 밝혔다. 또 새로운 기술을 위해선 전통적인 인터페이스로는 한계가 있어 PC내부의 메인보드 아키텍처나 새로운 클래스의 스토리지 프로세스가 필요하다고 말했다.



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