파나소닉, 초소형 인핸스먼트 모드 600V GaN 파워 트랜지스터 패키지 출시
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파나소닉, 초소형 인핸스먼트 모드 600V GaN 파워 트랜지스터 패키지 출시
  • 김혜진 기자
  • 승인 2015.05.19 10:32
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파나소닉이 초소형 인핸스먼트-모드 질화갈륨(gallium nitride, GaN) 파워 트랜지스터(X-GaNTM) 패키지의 출시를 발표했다.

GaN은 8x8 듀얼-플랫 노-리드(DFN) 표면-실장 패키지로 캡슐화됐다. 패키지를 통상적으로 장착이 어려운 작은 영역에 장착하는 것이 가능하며 산업 및 가전기기의 전력소비 절감에 기여한다.

트랜지스터의 절연파괴전압은 인핸스먼트 모드에서 600V이고 제품은 200V/ns의 고속 스위칭과 54내지 154 mΩ의 낮은 온-저항을 달성했다. 회사는 2015년 7월에 10A타입(PGA26E19BV)과 15A타입(PGA26E08BV)의 제품 샘플을 출시할 예정이다.

▲ 파나소닉이 초소형 인핸스먼트-모드 질화갈륨(gallium nitride, GaN) 파워 트랜지스터(X-GaNTM) 패키지의 출시를 발표했다.

파워 트랜지스터는 전원공급을 제어하는 반도체 장치다. GaN은 주목할 만한 반도체 화합물 중 하나이며 이것이 트랜지스터에 적용되는 경우 실리콘(Si) 및 탄화규소(4H-SiC)의 그것에 비해 스위칭 성능 및 절연파괴전압의 향상이 기대된다.

파나소닉의 기존 유형 GaN 파워 트랜지스터가 고열 확산 표면-실장 패키지 TO220(사이즈: 15x9.9x4.6mm)로 캡슐화됐지만 이 패키지는 충분히 작지 않고 전자장비에서 인쇄 회로기판의 장착영역은 한정돼 있다.

기생 인덕턴스는 표면 실장 패키지를 감소시키며 결과적으로 600V 고압에서 8x8x1.25mm의 더 작은 사이즈로 고유의 GaN 파워 트랜지스터 특성인 높은 스위칭 성능을 가져왔다. 파워 트랜지스터는 전자장비로의 도입이 가속화되며 전력소비 절감에 기여한다. 



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