키옥시아-웨스턴디지털, 6세대 162단 3D 플래시 메모리 기술 개발
상태바
키옥시아-웨스턴디지털, 6세대 162단 3D 플래시 메모리 기술 개발
  • 문혜진 기자
  • 승인 2021.02.25 17:47
  • 댓글 0
이 기사를 공유합니다

메모리 반도체 기업 키옥시아(Kioxia Corporation)와 스토리지 솔루션 기업 웨스턴디지털(Western Digital)이 6세대 162단 3D 플래시 메모리 기술을 개발했다.

이번에 발표된 6세대 3D 플래시 메모리는 기존 8스태거(eight-stagger) 구조의 메모리 홀 어레이를 능가하는 고도화된 아키텍처와 5세대 대비 10% 증가한 측면 셀 어레이 밀도를 특징으로 한다. 이러한 측면 미세화의 발전은 162단 수직 적층 메모리와 결합해, 112단 적층 기술 대비 40% 감소한 다이(die) 크기를 구현했다.

키옥시아와 웨스턴디지털은 6세대 3D 플래시 메모리에 ‘서킷 언더 어레이(Circuit Under Array)’ CMOS 배치와 ‘4플레인(four-plane)’ 방식을 함께 적용해 이전 세대 대비 2.4배가량 향상된 프로그램 성능과 10%의 읽기 지연 시간(read latency) 개선을 달성했다. 입출력(I/O) 성능 또한 66% 향상됐다.

6세대 3D 플래시 메모리 기술은 비트당 비용 절감을 지원할 뿐 아니라, 웨이퍼당 비트 생산 또한 이전 세대 대비 70% 증가시킨다.

마사키 모모도미(Masaki Momodomi) 키옥시아 CTO는 “전 세계 플래시 메모리 비트 중 30%를 생산하고 있는 양사는 합리적인 가격에 높은 용량과 뛰어난 성능 및 신뢰성을 제공한다는 공통된 목표를 위해 힘쓰고 있다”고 말했다.

시바 시바람(Siva Sivaram) 웨스턴디지털 기술 및 전략 부문 사장은 “이번 6세대 기술로 키옥시아와 웨스턴디지털은 더 작은 크기의 다이와 적은 수의 단으로도 한층 높은 용량을 달성할 수 있는 수직 및 측면 미세화 혁신을 선보였다”고 설명했다.



댓글삭제
삭제한 댓글은 다시 복구할 수 없습니다.
그래도 삭제하시겠습니까?
댓글 0
0 / 400
댓글쓰기
계정을 선택하시면 로그인·계정인증을 통해
댓글을 남기실 수 있습니다.