삼성전자가 ‘3비트(bit) 3차원 V낸드플래시 메모리’ 양산을 본격 시작했다.
이번에 양산에 들어간 3비트 V낸드는 삼성전자가 올해 5월 양산한 2세대(32단) 제품에 3비트 기술을 적용한 10나노급 128기가비트(Gb) 제품이다.
양산에 들어간 3비트 V낸드는 독자 기술인 3차원 CTF(Charge Trap Flash)셀을 32단으로 수직 적층한 2세대 V낸드 공정은 그대로 유지하면서 셀 하나에 저장되는 데이터 수를 기존 2개에서 3개로 늘려 셀 저장 용량을 1.5배 확대했다는 점이 특징이다. 이에 따라 기존 10나노급 평면구조 낸드 제품보다 생산성이 2배 이상 향상됐다.
삼성전자는 지난해 8월 ‘1세대(24단)’, 올해 5월 ‘2세대(32단)’ V낸드에 이어 이번에는 2세대 기반의 3비트 V낸드 양산 체제를 갖춤으로써 차세대 V낸드 기술 진화를 이끌며 경쟁력을 강화해 나가고 있다.
지난 2012년 3비트 평면구조 낸드 기반의 SSD를 양산해 3비트 플래시메모리 시장을 선점한 삼성전자는 이번 3비트 V낸드 양산을 통해 낸드플래시 시장을 더욱 확대시켜 나간다는 전략이다.
한재수 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀 전무는 “3비트 V낸드는 HDD에서 SSD로의 시장 전환 추세를 더욱 가속화 할 것”이라며 “향후 3비트 V낸드 기반 고용량 SSD 출시를 통해 SSD 사업에서의고성장세를 더욱 가속화 할 것”이라고 강조했다.
삼성전자는 3비트 V낸드의 본격 양산으로 기존의 고신뢰성 서버향 SSD에서 보급형 PC향 SSD까지 SSD 라인업을 대폭 늘려 나감으로써 V낸드 글로벌 시장을 확대해 나갈 계획이다.
저작권자 © CCTV뉴스 무단전재 및 재배포 금지
