3D NAND 메모리 기술로 전환 목적도시바가 일본 미에현(Mie prefecture)에 있는 NAND플래시 메모리 생산시설인 요카이치 공장(Yokkaichi Operations)의 제2반도체 생산라인(제2팹)을 철거하고 그 자리에 새로운 생산라인을 설치할 계획이라고 밝혔다.

이와 함께 도시바는 신규 생산 시설에 샌디스크와 공동 투자키로 하는 구속력 없는 양해각서(MOU)를 체결했다. 이 신규 웨이퍼 팹의 주요 목적은 도시바와 샌디스크의 기존 2D NAND 플래시 용량을 2016년부터 3D NAND플래시 용량으로 전환하기 위한 시설을 확보하려는 데 있다.

현재 제2팹 시설의 철거 작업은 5월에 시작하고 신규 시설은 올해 9월에 착공, 2015년 여름에 준공할 것을 목표로 하고 있다. 새로운 생산 라인의 청정실은 2D NAND 플래시 메모리 용량을 3D NAND플래시 용량 제품으로 전환하는 시기에 맞춰 단계적으로 설치할 예정이다.

1차 청정실은 2016년 3D NAND제품의 출시가 가능하도록 적절한 시기에 완공할 계획이다. 새 생산라인의 용량 확대 전환시기와 장비 투자, 생산 개시 시기, 생산 규모 등은 시장 추세에 따라 결정할 예정이다.

신규 팹은 주로 3D NAND 메모리를 처리하는 보완 시설로서 요카이치 공장의 다른 시설과 긴밀히 연계해 운영할 예정이다. 도시바와 샌디스크는 공동 투자를 통해 새로운 팹에 노광장치, 증착, 식각 등을 위한 첨단 제조 장비를 설치할 계획이다.

나루케 야스오 도시바 수석 부사장겸 반도체 및 저장장치 제품 부문 사장겸 최고경영자(CEO)는 “우리의 이번 첨단 기술 개발 결정은 지속적으로 증가하고 있는 NAND플래시 메모리의 수요에 대응하겠다는 우리의 의지의 표현”이라며 “우리는 샌디스크와의 합작을 통해 요카이치 시설에서 가격 경쟁력 있는 차세대 메모리를 생산할 수 있을 것”이라고 말했다.

산제이 메흐로트라 샌디스크 사장겸 최고경영자(CEO)도 “우리는 3D NAND 메모리 시대 기술을 더욱 발전시키는 이번 신규 웨이퍼 팹을 통해 오래 지속돼 온 협력관계를 계속하게 된 것을 기쁘게 생각한다”고 전했다.

새로운 팹은 내진 구조와 건물 전체에 LED 조명을 설치하는 등 환경 친화적인 시설로 건설될 예정이다. 또한 최신 에너지 절감 제조 장비를 설치해 생산성을 높이고 전력 소비를 낮출 수 있게 된다.

폐열 사용의 효율성을 높여 연료 소비를 감소시키고 현재 요카이치 시설에서 가장 첨단 생산 라인인 제5팹에 비해 이산화탄소(CO2) 배출을 15% 절감하게 된다.

도시바와 샌디스크는 이번 합작을 통해 요카이치의 기존 시설을 최대한 활용함으로써 3D NAND메모리로의 전환을 위한 투자 효율성을 극대화할 예정이다. 향후 두 회사는 첨단 공정 기술을 공동 개발하고 시장 수요를 충족시키기 위해 투자를 지속할 예정이다.